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Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管墅工敦化

敦化    
2019年11月22日

Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管2008-7-19Vishay日前推出最大结温高达+175℃的首款新型第五代(Gen.5.0)高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。 这两款肖特基二极管在+125℃时具有超低的最大正向压降,对于2x30A60CPT045,30A时典型正向压降低于0.50V,对于2x15A30CTT045,15A时典型正向压降低于0.50V。这两款器件在+125℃时均具有超低的反向漏电流,分别为5mA及2mA,并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的VF与IR权衡,可实现更高的系统效率。 30CTT045与60CPT045均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D级放大器以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度SMPS、台式电脑适配器、服务器、汽车驱动器与控制装置、消费类电子产品,例如PDP、LCD及高效的音频系统、移动电子产品,例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。 对于设计人员,这些新型器件采用符合RoHS的小型封装,可改善成本功耗比,并且具有RBSOA,可实现紧凑的低成本设计。30CTT045采用TO-220封装,而60CPT045采用TO-247封装。 稳定的高击穿电压(一般高于57V)可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度增加了25%。这两款器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了40%,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。 目前,新型30CTT045与60CPT045的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为6~8周。

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